インフィニオン、世界初300mmウエハー開発に成功 GaNパワー半導体の低コスト化へ

　インフィニオンテクノロジーズは１１日、次世代の電気自動車（ＥＶ）などへの搭載が見込まれる窒化ガリウム（ＧａＮ）パワー半導体を製造するための３００ﾐﾘﾒｰﾄﾙウエハーの開発に世界で初めて成功したと発表した。電力効率の高いＧａＮパワー半導体を低コストでの供給につなげる。

　半導体チップを製造するためのウエハーは、口径が大きくなることでウエハー１枚当たりの製造できるチップが増えることからコスト低減につながる。大口径ウエハーは高度な技術が必要で、ＧａＮのウエハー製造は従来、２００ﾐﾘﾒｰﾄﾙでしか実用化されていなかった。３００ﾐﾘﾒｰﾄﾙは２００ﾐﾘﾒｰﾄﾙと比べて製造できるチップ数が２．３倍に増える。

　ＧａＮパワー半導体は高耐圧や電力損失を低減できることが特長。ＥＶのパワートレインに活用すればコンポーネントの小型化や航続距離の伸長につながることから、次世代ＥＶへの搭載が見込まれているものの、高コストが課題だった。

　同社はオーストリアのフィラッハのパワー半導体工場に設けたパイロットラインで３００ﾐﾘﾒｰﾄﾙＧａＮウエハーの製造に成功した。市場ニーズに対応して今後、生産能力を増強していく。