ルネサス エレクトロニクス(ルネサス)は、12月6日、回路線幅が16/14nm(ナノメートル:10億分の1メートル)世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコン向けにフィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOS(注1)フラッシュメモリの大規模動作に成功したと発表した。
2016年12月に、ルネサスが世界で初めて発表したフィン構造SG-MONOSフラッシュメモリの単体セルの動作確認に引き続き、大規模メモリ動作とその信頼性が実証されたことで、16/14nm世代以降のマイコンに混載可能な100M(メガ)バイト超の大容量フラッシュメモリの実現に向けて大きく前進することができた。
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