アイシン、エッジAI向け新半導体を共同開発…電力効率10倍以上を実現

アイシンと東北大学は10月11日、大容量MRAMを搭載したエッジ領域向け「CMOS/スピントロニクス融合AI半導体」を開発し、従来比10倍以上の電力効率をシステム動作シミュレーションで確認した、と発表した。

この新しい半導体は、磁気抵抗メモリ（MRAM）の不揮発性と広バス帯域の特性を活用し、大容量MRAMを搭載して外付けメモリの合理的な内蔵化を図ることで、動作時および待機時電力の大幅低減、起動時間の短縮を可能にした。RTLでのシステム動作シミュレーションの検証では、従来比で電力効率10倍以上、起動時間10分の1以下の改善効果を確認した。