三菱電機と東京大学は、パワーエレクトロニクス機器に搭載されるSiC(※1)パワー半導体素子において、外部からの電磁ノイズの影響を受けにくい動作原理を世界で初めて(※2)考案した。
家電製品から産業・鉄道車両用機器などで使用されるパワーエレクトロニクス機器では、さらなる高効率・小型化・高信頼性が求められている。このニーズに応えるために、パワーエレクトロニクス機器のキーパーツであるパワー半導体モジュールの素子に従来のSi(ケイ素)パワー半導体素子に比べ抵抗が低いSiCパワー半導体素子を採用し、電力損失の低減を実現する動きが加速している。
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