世界の半導体開発・製造をリードするアメリカのテキサス・インスツルメンツ(TI)は2023年5月16日、機能安全性を確保したSiC(パワーMOSFET:電界効果トランジスター)インバーター用の高集積、絶縁型ゲート・ドライバーを発表した。このゲート・ドライバーを採用することで、より効率的なEVの駆動用インバーターを設計し、電気自動車 (EV) の航続距離を最大化することが可能となるのだ。
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