デンソーと富士電機は11月29日、共同申請したSiC(炭化ケイ素)パワー半導体の供給確保計画が経済産業省に認定されたと発表した。事業総額は2116億円で、最大で705億円の助成を受ける予定。電気自動車(EV)などで需要が高まるSiCパワー半導体の生産能力強化に向け、連携して供給基盤を整える。
対象となる生産拠点は、デンソーの大安製作所(三重県いなべ市)、幸田製作所(愛知県幸田町)、富士電機の松本工場(長野県松本市)。
オンセミCEOが都内で会見 EV向けパワー半導体、IGBTからSiCへの移行進むとの見立て
デンソーは、ウエハーや素子、モジュールからインバーターに至るまで幅広いSiC技術を開発している。
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