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現在位置: carview! > ニュース > 業界ニュース > ボッシュ、SiCパワー半導体の量産開始 単独チップ供給やeアクスルなど組み込んで提供

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 ロバート・ボッシュは、SiC(炭化ケイ素)を用いたパワー半導体の量産を12月から始めたと発表した。単独のチップとして提供するほか、パワーエレクトロニクスやeアクスルなど製品に組み込んだ形で供給する。製造は独ロイトリンゲン工場で行う。

 同社は2019年にSiCチップを開発し、生産すると発表。製造工程を自社開発し、21年初頭から評価用サンプルとして生産を始めた。今回、ロイトリンゲン工場での量産を12月から開始。自動車の電動化に伴う旺盛なパワー半導体需要に対応するため、将来的には生産能力を億単位の規模に引き上げる予定となっている。

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